onsemi MOSFET, canale N, 3,3 mΩ, 100 A, Power 33, Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale N, 3,3 mΩ, 100 A, Power 33, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDMC7660.2V, Dissipazione di potenza massima: 41 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.