Infineon MOSFET, canale N, 8 mΩ, 104 A, TO-220AB, Su foro
Infineon MOSFET, canale N, 8 mΩ, 104 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Altezza: 8.77mm, MPN: IRL2505PBF.