onsemi MOSFET, canale N, 19 mΩ, 10 A, MicroFET 2 x 2, Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale N, 19 mΩ, 10 A, MicroFET 2 x 2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,4 W, 900 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDMA8051L.