onsemi MOSFET, canale N, 273 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale N, 273 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 150 V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1mm, Lunghezza: 3mm, MPN: FDC86244.