Infineon MOSFET, canale N, 750 mΩ, 6,2 A, TO-220, Su foro
Infineon MOSFET, canale N, 750 mΩ, 6,2 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.9V, Tensione di soglia gate minima: 2.1V, Dissipazione di potenza massima: 74 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SPP06N60C3XKSA1.