Infineon MOSFET, canale N, 22 mΩ, 61 A, TO-220, Su foro
Infineon MOSFET, canale N, 22 mΩ, 61 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 15.