IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, PLUS247, Su foro
5V, Dissipazione di potenza massima: 1 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFX64N50Q3.IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.