STMicroelectronics MOSFET, canale N, 99 mΩ, 32 A, TO-247, Su foro
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 99 mΩ, 32 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW40N65M2.