Infineon MOSFET, canale N, 5,9 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale
Infineon MOSFET, canale N, 5,9 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 69 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 1.1mm, MPN: BSC039N06NSATMA1.