Infineon MOSFET, canale N, 20 mΩ, 76 A, TO-220AB, Su foro
Infineon MOSFET, canale N, 20 mΩ, 76 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 9.02mm, MPN: IRFB4127PBF.