STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8,5 Ω, 1 A, IPAK (TO-251), Su foro
25V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 2.STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8,5 Ω, 1 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.