Infineon MOSFET, canale P, 4,6 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale
Infineon MOSFET, canale P, 4,6 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 6.