IXYS MOSFET, canale N, 11 mΩ, 178 A, SOT-227, Montaggio a vite
5V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 830 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 38.IXYS MOSFET, canale N, 11 mΩ, 178 A, SOT-227, Montaggio a vite, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN200N10L2.