Infineon MOSFET, canale N, 3,2 mΩ, 100 A, PQFN, Montaggio superficiale
Infineon MOSFET, canale N, 3,2 mΩ, 100 A, PQFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 156 W, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Tensione diretta del diodo: 1.