Infineon MOSFET, canale P, 3,9 mΩ, 180 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale
Infineon MOSFET, canale P, 3,9 mΩ, 180 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Lunghezza: 10mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPB180P04P4L-02.