IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro
26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH20N50P3.IXYS MOSFET, canale N, 300 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 380 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.