Infineon MOSFET, canale N, 600 mΩ, 7,3 A, TO-220 FP, Su foro
1V, Dissipazione di potenza massima: 32 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 9.9V, Tensione di soglia gate minima: 2.Infineon MOSFET, canale N, 600 mΩ, 7,3 A, TO-220 FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Tipo di package: TO-220FP, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.