onsemi MOSFET, canale N, 42 mΩ, 25 A, TO-220F, Su foro
onsemi MOSFET, canale N, 42 mΩ, 25 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 62,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 16.36mm, MPN: FDPF2710T.