onsemi MOSFET, canale N, 100 mΩ, 14 A, IPAK (TO-251), Su foro
onsemi MOSFET, canale N, 100 mΩ, 14 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 50 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 48 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -10 V, +10 V, Lunghezza: 6.8mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: RFD14N05L.