STMicroelectronics MOSFET, canale N, 4,8 Ω, 3 A, TO-220, Su foro
5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 90 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 9.15mm, MPN: STP3NK90Z.STMicroelectronics MOSFET, canale N, 4,8 Ω, 3 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 900 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.