onsemi MOSFET, canale N, 600 mΩ, 7,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale N, 600 mΩ, 7,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2.73mm, MPN: FCD600N60Z.5V, Dissipazione di potenza massima: 89 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 2.39mm, Lunghezza: 6.