Infineon MOSFET, canale N, 0,0058 Ω, 50 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale
Infineon MOSFET, canale N, 0,0058 Ω, 50 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: IPC, MPN: IPC50N04S55R8ATMA1.