Infineon MOSFET, canale N, 700 Ω, 21 mA, SOT-23, Montaggio superficiale
7V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1mm, MPN: BSS126.6V, Tensione di soglia gate minima: 2.Infineon MOSFET, canale N, 700 Ω, 21 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 1.