STMicroelectronics MOSFET, canale N, 260 mΩ, 2,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 260 mΩ, 2,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 3,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STN2NF10.