STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,5 Ω, 2,5 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,5 Ω, 2,5 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 38 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 6.35mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STL4N80K5.