Infineon MOSFET, canale P, 12 Ω, 170 mA, SOT-23, Montaggio superficiale
24V, MPN: BSS84P.Infineon MOSFET, canale P, 12 Ω, 170 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.