onsemi MOSFET, canale P, 150 mΩ, 3,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale
04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTR4171PT1G.4V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Lunghezza: 3.onsemi MOSFET, canale P, 150 mΩ, 3,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.