STMicroelectronics MOSFET, canale N, 1 Ω, 5 A, IPAK (TO-251), Su foro
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 1 Ω, 5 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 96 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STD5NM60T4.