Infineon MOSFET, canale N, 86 mΩ, 18 A, TDSON, Montaggio superficiale
Infineon MOSFET, canale N, 86 mΩ, 18 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 29 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.1mm, MPN: BSZ440N10NS3GATMA1.