Infineon MOSFET IPD90N03S4L02ATMA1, VDSS 30 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.
2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 136 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +16 V, Altura: 2.Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.3mm, MPN: IPD90N03S4L-02 Infineon MOSFET IPD90N03S4L02ATMA1, VDSS 30 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple.