Toshiba MOSFET, canale N, 1 Ω, 10 A, TO-3PN, Su foro
Toshiba MOSFET, canale N, 1 Ω, 10 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20mm, Lunghezza: 15.5mm, MPN: TK10J80E.