Vishay MOSFET canal P, SOT-23 2,2 A 20 V, 3 broches
4V, Dissipation de puissance maximum: 1,7 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 1.04mm, MPN: SI2367DS-T1-GE3.Vishay MOSFET canal P, SOT-23 2,2 A 20 V, 3 broches, Type de boîtier: SOT-23 (TO-236), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.02mm, Longueur: 3.