onsemi MOSFET canal N, LFPAK, SOT-669 133 A 60 V, 4 broches
onsemi MOSFET canal N, LFPAK, SOT-669 133 A 60 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,2 mO, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 100 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NVMYS3D3N06CLTWG.