ROHM MOSFET canal P, TSMT-3 2 A 45 V, 3 broches
ROHM MOSFET canal P, TSMT-3 2 A 45 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 280 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: RQ5H020SPTL.