Vishay MOSFET canal P, SOIC 17 A 40 V, 8 broches
5V, Dissipation de puissance maximum: 7,14 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.Vishay MOSFET canal P, SOIC 17 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 24 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.55mm, MPN: SQ4401EY-T1_GE3.