onsemi MOSFET canal N, MicroFET 2 x 2 55 A 60 V, 8 broches
75mm, Longueur: 3.onsemi MOSFET canal N, MicroFET 2 x 2 55 A 60 V, 8 broches, Type de boîtier: MLP, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 11,7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.