Infineon MOSFET canal P, SOT-223 1,9 A 60 V, 3 broches
Infineon MOSFET canal P, SOT-223 1,9 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Nombre de broche: 3 + Tab, Résistance Drain Source maximum: 300 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 1,8 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.