Vishay MOSFET canal N/P, SOIC 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 broches
2V, Dissipation de puissance maximum: 3 W, 3,1 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI4599DY-T1-GE3.Vishay MOSFET canal N/P, SOIC 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 42,5 mΩ, 62 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.