onsemi MOSFET canal P, SOT-363 700 mA 12 V, 6 broches
4V, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 1mm, Longueur: 2mm, MPN: FDG6316P.onsemi MOSFET canal P, SOT-363 700 mA 12 V, 6 broches, Type de boîtier: SOT-363 (SC-70), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 650 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.