Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 70 A 30 V, 3 broches
Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 70 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 2.41mm, MPN: IPD042P03L3GATMA1.