onsemi MOSFET canal N, DFN8 5 x 6 224 A 60 V, 8 broches
onsemi MOSFET canal N, DFN8 5 x 6 224 A 60 V, 8 broches, Type de boîtier: PQFN, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,3 mO, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 166 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, MPN: NVMFSC1D6N06CL.