STMicroelectronics Diode traversante, 20A, 300V, TO-220AB
25V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 35ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 110A, MPN: STTH2003CT.STMicroelectronics Diode traversante, 20A, 300V, TO-220AB, Configuration de diode: Cathode commune, Type de redressement: Commutation, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 1.