Infineon MOSFET canal N, SOIC 7 A 60 V, 8 broches
Infineon MOSFET canal N, SOIC 7 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.5mm, MPN: IRF7478TRPBF.