STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 10 A 650 V, 3 broches
6V, MPN: STD13N65M2.STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 10 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 430 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 110 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Tension directe de la diode: 1.