Toshiba MOSFET canal N, TO-3PN 62 A 600 V, 3 broches
Toshiba MOSFET canal N, TO-3PN 62 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Dissipation de puissance maximum: 400 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 20mm, Longueur: 15.5mm, MPN: TK62J60W,S1VQ(O.