STMicroelectronics MOSFET canal N, IPAK (TO-251) 5 A 650 V, 3 broches
5V, Hauteur: 6.STMicroelectronics MOSFET canal N, IPAK (TO-251) 5 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 96 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Tension directe de la diode: 1.2mm, MPN: STD5NM60T4.