ROHM MOSFET canal N, DFN 5,5 A 30 V, 8 broches
1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: UT6K3TCR.ROHM MOSFET canal N, DFN 5,5 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 63 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.5V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Base double, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 2.