onsemi MOSFET canal N, DFN 157 A 80 V, 5 broches
2V, MPN: NTMFS6H801NT1G.onsemi MOSFET canal N, DFN 157 A 80 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 166 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.