Infineon MOSFET canal N, TO-220 FP 11 A 650 V, 3 broches
1V, Dissipation de puissance maximum: 33 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 9.Infineon MOSFET canal N, TO-220 FP 11 A 650 V, 3 broches, Type de boîtier: TO-220FP, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 380 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.9V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.