Infineon MOSFET canal N, SOT-223 660 mA 200 V, 3 broches
1V, Dissipation de puissance maximum: 1,8 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.6mm, MPN: BSP149H6327XTSA1.Infineon MOSFET canal N, SOT-223 660 mA 200 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Nombre de broche: 3 + Tab, Résistance Drain Source maximum: 1,8 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.